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开机延迟时间测试

日期:2024-08-07 02:43
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摘要:开机延迟时间测试,开关电源使用的半导体功率器件,在上电和断电时都会受到冲击。所以需要对开关电源进行电源开关循环试验,测试电源在满载的情况下是否能连续承受开关操作下的冲击,确保电源的耐久性

开机延迟时间测试:
开关电源使用的半导体功率器件,在上电和断电时都会受到冲击。所以需要对开关电源进行电源开关循环试验,测试电源在满载的情况下是否能连续承受开关操作下的冲击,确保电源的耐久性。

测试条件:将被测电源放置在室温环境中,输入电压115Vac/230Vac,输出负载为满载。将被测电源开关ON,持续时间为5s,然后将开关拨到OFF,持续时间5s,重复此过程。一次开关的过程为一个测试周期,整个试验需持续至少5000个周期。试验过程中每完成1000个周期,记录被测开关电源的输入功率和输出电压。待试验结束后,如果待测产品在试验前后的电气性能没有差异,则通过此试验。

这需要测试设备具有足够长的存储,可以在保持较高采样率的情况下进行长期波形捕捉。

IGBT(绝缘栅双极型晶体管),既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使晶体管截止。因此,IGBT**可靠与否主要由以下因素决定:

• IGBT栅极与发射极、集电极与发射极之间的电压
• 流过IGBT集电极-发射极的电流
• IGBT的结温

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